SPHE8202R 데이터 시트보기 (PDF) - Unspecified
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SPHE8202R Datasheet PDF : 20 Pages
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(5) IC 正下方最好不要走线，若不能避免则只能允许走低速的讯号线，尤其禁止走 clock、
power trace，且要避免走 IC 正下方，布线方式要从 IC 外侧往内侧布线。
for ZIHUAN Figure 4-7 IC 正下方走线方式
Only 4.4 如何改善 USB 端口的 EMI 问题
当 USB 接口采用高速差动信号传输方式时，由于接地层与电源层的信号摇摆，放射噪声会有
所增加。因此，为避免串扰并保证信号的完整性，消除将要混入高速信号中的共模噪声是电
磁兼容设计的必要对策。在图 4-8 所示的电路中，数据电源线和地线上分别串联一个阻抗为
120 欧姆、额定电流为 2A 的磁珠，而差分线对上则串联一个共模阻抗为 90 欧姆的共模扼流
器。共模抗流器由两根导线同方向绕在磁芯材料上，当共模电流通过时，共模抗流器会因磁
通量叠加而产生高阻抗；当差模电流通过时，共模抗流器因磁通量互相抵消而产生较小阻抗。
Only for ZIHUAN Figure 4-8 USB 噪声抑制电路图。
© Sunplus Technology Co., Ltd.
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V2.0 - JUN, 2007
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