DatasheetQ Logo
Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits

2SC4976 데이터 시트보기 (PDF) - SANYO -> Panasonic

부품명
상세내역
제조사
2SC4976 Datasheet PDF : 5 Pages
1 2 3 4 5
2SA1875 / 2SC4976
Specifications
( ) : 2SA1875
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
Tstg
Tc=25°C
Conditions
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Symbol
Conditions
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
Cob
Cre
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
VCB=(--)150V, IE=0
VEB=(--)2V, IC=0
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
VCE=(--)10V, IC=(--)250mA
VCE=(--)10V, IC=(--)100mA
VCB=(--)30V, f=1MHz
VCB=(--)30V, f=1MHz
IC=(--)50mA, IB=(--)5mA
IC=(--)50mA, IB=(--)5mA
IC=(--)10µA, IE=0
IC=(--)1mA, RBE=
IE=(--)100µA, IC=0
* : The 2SA1875 / 2SC4976 are classified by 50mA hFE as follows
Rank
D
E
F
hFE
60 to 120 100 to 200 160 to 320
Ratings
Unit
(--)200
V
(--)200
V
(--)3
V
(--)300
mA
(--)600
mA
(--)30
mA
0.8
W
12
W
150
°C
--55 to +150
°C
Ratings
min
typ
60*
20
400
(5.0)4.2
(4.2)3.4
(--)200
(--)200
(--)3
max
(--)0.1
(--)1.0
320*
(--)1.0
(--)1.0
Unit
µA
µA
MHz
pF
pF
V
V
V
V
V
--350
--300
--250
--200
--150
--100
--50
0
0
IC -- VBE
2SA1875
VCE= --10V
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT03431
IC -- VBE
350
2SC4976
300
VCE=10V
250
200
150
100
50
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT03432
No.5507-2/5

Share Link: 

datasheetq.com  [ Privacy Policy ]Request Datasheet ] [ Contact Us ]