Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
부품명
상세내역
2SB1641 데이터 시트보기 (PDF) - Toshiba
부품명
상세내역
제조사
2SB1641
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
Toshiba
2SB1641 Datasheet PDF : 5 Pages
1
2
3
4
5
−
8
−
100
−
6
−
4
−
2
I
C
– V
CE
−
15
−
30
−
7
Common
emitter
Ta = 25°C
−
3
−
1
IB =
−
0.3 mA
0
0
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
10000
h
FE
– I
C
5000
3000
1000
500
300
Ta = 100°C
25
−
55
Common emitter
VCE =
−
3 V
100
50
−
0.05
−
0.1
−
0.3
−
0.5
−
1
−
3
−
5
−
10
−
30
Collector current I
C
(A)
2SB1641
I
C
– V
BE
Common emitter
−
8
VCE =
−
3 V
−
6
−
4
−
2
Ta = 100°C
−
55
25
0
0
−
0.8
−
1.6
−
2.4
−
3.2
−
4.0
Base-emitter voltage V
BE
(V)
V
CE (sat)
– I
C
−
10
Common emitter
−
5
IC/IB = 250
−
3
−
1
25
−
0.5
−
0.3
−
0.1
Ta =
−
55°C
100
−
0.3
−
0.5
−
1
−
3
−
5
−
10
Collector current I
C
(A)
V
BE (sat)
– I
C
−
10
Common emitter
−
5
IC/IB = 250
−
3
Ta =
−
55°C
25
−
1
100
−
0.5
−
0.3
−
0.1
−
0.3
−
0.5
−
1
−
3
−
5
−
10
Collector current I
C
(A)
V
CE
– I
B
−
2.8
Common emitter
Ta = 25°C
−
2.4
−
2.0
−
1.6
−
1.2
−
0.8
−
0.4
−
0.1
−
0.3
−
8
−
7
−
6
−
5
−
4
−
3
−
2
−
1
IC =
−
0.1 A
−
1
−
3
−
10
−
30
−
100
−
300
Base current I
B
(mA)
3
2004-07-26
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]