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부품명
상세내역
2SC5625 데이터 시트보기 (PDF) - Unspecified
부품명
상세내역
제조사
2SC5625
Silicon NPN epitaxial type For low frequency power amplification
Unspecified
2SC5625 Datasheet PDF : 4 Pages
1
2
3
4
2SC5625
低周波電力増幅用
シリコンNPNエピタキシァル形
概 要
2SC5625超小形外形樹脂封止形シリコンNPNエピタキシァル
形トランジスタで、高耐圧に設計、製造されております。
セットの小型化、高密度実装用として幅広くご使用いただけま
す。
特 長
・超小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能
・コレクタ飽和電圧が低い
V
CE
(sat)=0.5V 最大
用 途
ハイブリッドIC,DC-DCコンバータ用
外 形 図
2.5
0.5 1.5 0.5
単位
:mm
1
3
2
電極接続
1
:
ベ−ス
2
:
エミッタ
3
:
コレクタ
EIAJ : SC-59
JEDEC : TO-236
類似
最大定格 (Ta=25 ℃)
記 号
項 目
定格値
単位
V
CBO
コレクタ・ベ−ス間電圧
300
V
V
EBO
エミッタ・ベ−ス間電圧
7
V
V
CEO
コレクタ・エミッタ間電圧
300
V
I
C
コレクタ電流
100
mA
P
C
コレクタ損失
150
mW
Tj
接合部温度
+125
℃
Tstg
保存温度
-55~+125
℃
電気的特性 (Ta=25℃)
記 号
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
V
(BR)CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
Cob
項 目
コレクタ・ベース降伏電圧
エミッタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
測 定 条 件
I
C
=50μA, I
E
=0
I
E
=50μA, I
C
=0
I
C
=1mA, R
BE
=∞
V
CB
= 300V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=10V, I
C
=10mA
I
C
=100mA, I
B
=10mA
V
CE
=6V, I
E
=-10mA
V
CB
=6V, I
E
=0, f=1MHz
マ−キング図
UW
形名略称
h
FE
アイテム
特性値
単位
最小
標準
最大
300
V
7
V
300
V
0.5
μA
0.5
μA
60
305
0.5
V
40
MHz
3.0
pF
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