2SC5626 데이터 시트보기 (PDF) - Unspecified
부품명
상세내역
제조사
2SC5626 Datasheet PDF : 4 Pages
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〈トランジスタ〉
2SC5626
高周波増幅用
シリコンNPNエピタキシァル形（スーパーミニタイプ）
概 要
2SC5626は超小形外形樹脂封止形シリコンNPNエピタ
キシァル形トランジスタで、高周波増幅用として設計、製
造されております。
セットの小型化、高密度実装用として幅広くご使用いた
だけます。
外 形 図
2.1
0.425 1.25
単位:mm
0.425
特 長
・超小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能
・トランジョン周波数fTが高い
1
3
2
用 途
小形機器の高周波増幅用
最大定格 (Ta=25℃)
記 号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
項 目
コレクタ・ベ−ス間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベ−ス間電圧
コレクタ電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
定格値
30
20
4
50
125
+125
-55〜+125
単位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
電気的特性 (Ta=25℃)
記 号
項 目
測 定 条 件
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
I CBO
I EBO
hFE
VCE(sat)
fT
Cob
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
エミッタ・ベース降伏電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
I C=50μA, I E=0mA
I C=1mA, RBE=∞
I E=50μA, I C=0mA
VCB= 20V, I E=0
VEB=3V, I C=0
VCE=10V, I C=5mA
I C=10mA, I B=1mA
VCE=5V, I E=-10mA
VCB=6V, I E=0, f =1MHz
電極接続
1 : ベ−ス
2 : エミッタ
3 : コレクタ
EIAJ : SC-70
JEDEC :
マ−キング図
S
形名略称
W
hFE アイテム
最小
30
20
4
50
600
特性値
標準
最大
0.5
0.5
148
0.1
1100
1.2
1.5
単位
V
V
V
μA
μA
V
MHz
pF
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