2SC5626 데이터 시트보기 (PDF) - Unspecified
부품명
상세내역
제조사
2SC5626 Datasheet PDF : 4 Pages
| |||
エミッタ接地伝達特性
100
V CE=6V
Ta=25℃
10
1
0.1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
ベース・エミッタ間電圧 V BE(V)
10000
1000
直流電流増幅率−コレクタ電流特性
Ta=25℃
VCE=10V
100
10
1
0.1
1
10
100
コレクタ電流 I C(mA)
利得帯域幅積−エミッタ電流特性
10000
V CE=5V
Ta=25℃
1000
1000
100
10
0.11
10100
エミッタ電流 I E (mA)
〈トランジスタ〉
2SC5626
高周波増幅用
シリコンNPNエピタキシァル形（スーパーミニタイプ）
エミッタ接地出力特性
20
1 8 0 μA
18
16
14
1 6 0 μA
1 4 0 μA
Ta=25℃
1 2 0 μA
1 0 0 μA
12
8 0 μA
10
6 0 μA
8
6
4 0 μA
4
2 0 μA
2
I B = 0 μA
0
02 4
6
8 10 12 14 16 18 20
コレクタ・エミッタ間電圧
VCE(V)
コレクタ・エミッタ飽和電圧
−コレクタ電流特性
10
Ta=25℃
IC/IB=10/1
1
0.1
0.01
0.11
10
100
コレクタ電流 I C(mA)
100.0
10.0
入出力容量−ベース電圧特性
f=1MHz
IE=0A
IC=0A
Ta=25℃
Cob
1.0
Cib
0.1
0.11.010.0
100.0
コレクタ・ベース電圧 V
エミッタ・ベース電圧 V
CB(V)
EB(V)
Share Link: 