Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
부품명
상세내역
2SJ567(TE16L1,NQ)(2009) 데이터 시트보기 (PDF) - Toshiba
부품명
상세내역
제조사
2SJ567(TE16L1,NQ)
(Rev.:2009)
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (π-MOSV)
Toshiba
2SJ567(TE16L1,NQ) Datasheet PDF : 6 Pages
1
2
3
4
5
6
I
D
– V
DS
−
2.0
Common source
−
8
−
6
−
5
−
4.8
Tc
=
25°C
−
10
Pulse test
−
1.6
−
15
−
4.6
−
1.2
−
4.4
−
0.8
−
4.2
VGS
= −
4 V
−
0.4
0
0
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
Drain-source voltage V
DS
(V)
−
10
Common source
VDS
= −
10 V
−
8
Pulse test
I
D
– V
GS
Tc
= −
55°C
−
6
25
−
4
100
−
2
0
0
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
Gate-source voltage V
GS
(V)
10
Common source
VDS
= −
10 V
Pulse test
⎪
Y
fs
⎪
– I
D
Tc
= −
55°C
25
100
1
2SJ567
−
5
−
10
−
4
−
15
−
3
−
2
−
1
I
D
– V
DS
−
6
Common source
Tc
=
25°C
−
8
Pulse test
−
5.75
−
5.5
−
5.25
−
5
−
4.8
−
4.6
−
4.4
−
4.2
VGS
= −
4 V
0
0
−
10
−
20
−
30
−
40
−
50
Drain-source voltage V
DS
(V)
−
10
−
8
−
6
−
4
−
2
0
0
V
DS
– V
GS
Common source
Tc
=
25°C
Pulse test
ID
= −
2.5 A
−
1.5
−
0.8
−
4
−
8
−
12
−
16
−
20
Gate-source voltage V
GS
(V)
R
DS (ON)
– I
D
10
Common source
Tc
=
25°C
Pulse test
VGS
= −
10 V
−
15
1
0.1
−
0.1
−
1
Drain current I
D
(A)
0.1
−
10
−
0.1
3
−
1
−
10
Drain current I
D
(A)
2009-07-13
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]