Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
부품명
상세내역
J619 데이터 시트보기 (PDF) - Toshiba
부품명
상세내역
제조사
J619
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-π-MOSV)
Toshiba
J619 Datasheet PDF : 6 Pages
1
2
3
4
5
6
I
D
– V
DS
−
5
Common source
Tc
=
25°C
−
10
−
6
−
4
−
3
pulse test
−
4
−
8
−
3
−
2.5
−
2
−
1
VGS
= −
2 V
0
0
−
0.4
−
0.8
−
1.2
−
1.6
−
2.0
Drain-source voltage V
DS
(V)
−
10
Common source
VDS
= −
10 V
pulse test
−
8
−
6
I
D
– V
GS
25
−
4
−
2
100
Tc
= −
55°C
0
0
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
−
6
Gate-source voltage V
GS
(V)
2SJ619
−
20
−
16
−
12
−
8
−
4
0
0
−
8
−
10
I
D
– V
DS
−
6
Common source
Tc
=
25°C
pulse test
−
4
−
3.5
−
3
−
2.5
VGS
= −
2 V
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
Drain-source voltage V
DS
(V)
V
DS
– V
GS
Common source
−
3.2
Tc
=
25°C
pulse test
−
2.4
−
1.6
−
0.8
0
0
ID
= −
8 A
−
4
−
2
−
4
−
8
−
12
−
16
−
20
Gate-source voltage V
GS
(V)
⎪
Y
fs
⎪ −
I
D
50
Common source
30
VDS
= −
10 V
Pulse test
10
Tc
= −
55°C
25
5
100
3
1
−
0.3
−
1
−
3
−
10
−
30
Drain current I
D
(A)
3.0
Common source
Tc
=
25°C
Pulse test
1.0
R
DS (ON)
−
I
D
0.5
0.3
VGS
= −
4 V
−
10
0.1
0.05
0.03
−
0.1
−
0.3
−
1
−
3
Drain current I
D
(A)
−
10
−
20
3
2009-09-29
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]