3DD4203D 데이터 시트보기 (PDF) - Jilin Sino-Microelectronics
부품명
상세내역
제조사
3DD4203D Datasheet PDF : 7 Pages
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R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
3DD4203D
项目
符号 数值 单位
Parameter
Symbol Value
Unit
集电极—发射极直流电压
集电极—发射极直流电压
发射极—基极直流电压
最大集电极直流电流
最大集电极脉冲电流
Collector- Emitter Voltage（VBE=0） VCES
Collector- Emitter Voltage（IB=0） VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Collector Current（DC）
IC
Collector Current（pulse）
ICP
700
V
400
V
9
V
2.0
A
4.0
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-92)
PC
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-251)
PC
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-126(S))
PC
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-220)
PC
1
W
10
W
20
W
40
W
最高结温
Junction Temperature
贮存温度
Storage Temperature
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
Tj
150
℃
Tstg
-55~+150 ℃
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
单位
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max) Unit
V(BR)CEO
IC=10mA,IB=0
V(BR)CBO
IC=1mA,IB=0
V(BR)EBO
IE=1mA,IC=0
ICBO
VCB=680V, IE=0
ICEO
VCE=400V,IB=0
IEBO
VEB=7V, IC=0
hFE
VCE=5V, IC=5mA
VCE=10V, IC=200mA
VCE(sat)
IC=0.5A, IB=0.1A
VBE(sat)
IC=0.5A, IB=0.1A
tf
VCC=24V IC=2A,IB1=-IB2=0.4A
ts
VCC=24V IC=2A,IB1=-IB2=0.4A
fT
VCE=10V, Ic=0.1A
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
400
490
-
V
700
800
-
V
9
13
-
V
-
-
100
µA
-
-
50
µA
-
-
10
µA
6
16
40
-
10
20
30
-
-
0.18
0.8
V
-
0.9
1.2
V
-
-
0.7
µS
-
-
4
µS
4
-
-
MHz
符 号 最小值 最大值 单 位
Parameter
结到环境的热阻 TO-92
Thermal Resistance Junction Case
结到管壳的热阻 TO-251
Thermal Resistance Junction Case
结到管壳的热阻 TO-126(S)
Thermal Resistance Junction Case
结到管壳的热阻 TO-220
Thermal Resistance Junction Case
TO-92
TO-251
TO-126(S)
TO-220
Symbol Value(min) Value(max)
Rth(j-a)
-
125
Rth(j-c)
-
12.5
Rth(j-c)
-
6.25
Rth(j-c)
-
3.125
Unit
℃ /W
℃ /W
℃ /W
℃ /W
版本：201002G
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