3DD5027 데이터 시트보기 (PDF) - Jilin Sino-Microelectronics
부품명
상세내역
제조사
3DD5027 Datasheet PDF : 5 Pages
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R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
3DD5027
项目
符号 数值 单位
Parameter
Symbol Value
Unit
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（VBE=0） VCES
1100
V
集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（IB=0） VCEO
发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage
VEBO
800
V
7
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
IC
3
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current（pulse）
ICP
6
A
最大基极直流电流
Base Current（DC）
IB
1
A
最大基极脉冲电流
Base Current（pulse）
IBP
2
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-220)
PC
50
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150 ℃
注：pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%.
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
ICEO
IC=10mA,IB=0
IC=1mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
VCB=1100V, IE=0
VCE=800V,IB=0
800
-
-
1100
-
-
7
-
-
-
-
100
-
-
50
IEBO
Hfe(1)
Hfe(2)
VEB=7V, IC=0
VCE =5V, IC=0.2A
VCE =5V, IC=1A
-
-
10
10
-
50
8
-
-
VCE(sat)
VBE(sat)
tf
ts
IC=1.5A, IB=0.3A
IC=1.5A, IB=0.3A
VCC=24V IC=2A,IB1=-IB2=0.4A
-
-
2
-
-
1.5
-
-
0.3
-
-
3
fT
VCE=10V, IC=0.2A
-
15
-
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
μS
μS
MHz
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到管壳的热阻 TO-220
Thermal Resistance Junction Case TO-220
符 号 最小值 最大值
Symbol Value(min) Value(max)
单位
Unit
Rth(j-c)
-
2.5
℃ /W
版本：200910C
2/5
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