BP104FS 데이터 시트보기 (PDF) - Siemens AG
부품명
상세내역
제조사
BP104FS Datasheet PDF : 5 Pages
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BP 104 F
BP 104 FS
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0
Forward voltage
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Symbol
Symbol
S
λS max
λ
A
L×B
L×W
H
ϕ
IR
Sλ
η
VO
ISC
tr, tf
VF
C0
Wert
Value
34 (≥ 25)
Einheit
Unit
µA
950
nm
780 ... 1100
nm
4.84
2.20 × 2.20
mm2
mm × mm
0.5
mm
0.3 (BP 104 FS)
± 60
2 (≤ 30)
Grad
deg.
nA
0.70
A/W
0.90
330 (≥ 250)
Electrons
Photon
mV
17
µA
20
ns
1.3
V
48
pF
Semiconductor Group
3
1997-11-19
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