MC33468 데이터 시트보기 (PDF) - ON Semiconductor

부품명

상세내역

제조사

MC33468

Variable Frequency Micropower Step-up DC-DC Converter

ON Semiconductor 

MC33468

MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C, unless otherwise noted.)

Rating

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Power Supply Voltage (Transient)

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Power Supply Voltage (Operating)

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ External Pin Voltage

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ EXT Pin Source/Sink Current

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Power Dissipation and Thermal Characteristics

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ N Suffix, Plastic Package Case 1212 (SOT–23–5)

Symbol

VDD

VDD

VEXT

IEXT

Value

Unit

12

V

10

V

–0.3 to VDD + 0.3

V

50/50

mA

Maximum Power Dissipation @ TA = 250°C

PD

150

mW

Thermal Resistance, Junction–to–Air

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Operating Junction Temperature

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Operating Ambient Temperature

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Storage Temperature Range

RθJA

TJ

TA

Tstg

667

125

–40 to +85

–55 to +125

°C/W

°C

°C

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (VDD = 1.9 V, TA = 25°C, unless otherwise noted.)

Characteristic

OSCILLATOR

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Frequency

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Oscillator Minimum Supply Voltage (IO = 0 mA)

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Oscillator Duty Cycle

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ EXT OUTPUT

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ON State Source Current (VEXT = GND)

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ OFF State Sink Current (VEXT = 1.9 V)

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ TOTAL DEVICE

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Output Voltage

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Quiescent Bias Current (VOUT = 1.9 V, IO = 0 mA)

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Quiescent Bias Current (VOUT = 2.1 V, IO = 0 mA)

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Internal Resistor (VOUT to GND)

Output Voltage Temperature Coefficient

ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ IOUT = 10 mA, –40°C ≤ TA ≤ 85°C

Symbol

fosc

VDD

D

Isource

Isink

VOUT

IQ

IQ

RVout

DVOUT

DTA

Min

–

–

65

1.5

1.5

1.950

–

–

2.0

–

Typ

180

0.7

75

–

–

2.000

15

3.0

–

±50

Max

Unit Note1

–

kHz

B

0.8

V

B

–

%

B

–

mA

C

–

mA

D

2.050

V

25

µA

A

5.0

µA

A

–

MW

–

ppm/oc

E

1. Indicates test circuits shown on next page.

Figure 1. Output Voltage versus Output Current

40

Vin = 3.6 V

35

30

25

20

0

20

40

60

IOUT, OUTPUT CURRENT (mA)

Figure 2. Efficiency versus Output Current

80

70

60

50

40

30

Vin = 3.6 V

20

0

20

40

60

IOUT, OUTPUT CURRENT (mA)

http://onsemi.com

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