SFH221S 데이터 시트보기 (PDF) - Siemens AG

부품명

상세내역

제조사

SFH221S

Silicon Differential Photodiode

Siemens AG 

SFH 221 S

Kennwerte (TA = 25 oC, Normlicht A, T = 2856 K) für jede Einzeldiode

Characteristics (TA = 25 oC, standard light A, T = 2856 K) per single diode

Bezeichnung

Description

Dunkelstrom, VR = 10 V

Dark current

Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm

Spectral sensitivity

Maximale Abweichung der

Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert

Max. deviation of the system spectral

sensitivity from the average

Quantenausbeute, λ = 850 nm

Quantum yield

Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix

Open-circuit voltage

Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix

Short-circuit current

Isolationsstrom, VIS = 100 V

Insulation current

Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes

Rise and fall time of the photocurrent

RL= 1 kΩ; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 25 µA

Durchlaβspannung, IF = 40 mA, E = 0

Forward voltage

Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Capacitance

Temperaturkoeffizient für VL

Temperature coefficient of VL

Temperaturkoeffizient für IK

Temperature coefficient of IK

Rauschäquivalente Strahlungsleistung

Noise equivalent power

VR = 10 V, λ = 850 nm

Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 850 nm

Detection limit

Symbol

Symbol

IR

Sλ

∆S

η

VL

IK

IIS

tr, tf

VF

C0

TCV

TCI

NEP

D*

Wert

Value

10 (≤ 100)

0.55

±5

0.80

330 (≥ 280)

24

0.1 (≤ 1)

500

1.0

25

–2.6

0.18

1.0 x 10–13

1.2 x 1012

Einheit

Unit

nA

A/W

%

Electrons

Photon

mV

µA

nA

ns

V

pF

mV/K

%/K

W

√Hz

cm · √Hz

W

Semiconductor Group

401

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