Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
부품명
상세내역
TPC8126 데이터 시트보기 (PDF) - Toshiba
부품명
상세내역
제조사
TPC8126
FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE
Toshiba
TPC8126 Datasheet PDF : 7 Pages
1
2
3
4
5
6
7
−
4.5
−
10
−
3.8
−
3.2
−
10
−
3
I
D
– V
DS
−
2.8
−
2.6
−
8
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
−
2.5
−
2.4
−
6
−
2.3
−
4
−
2
−
2.2
VGS
= −
2.1 V
0
0
−
0.2
−
0.4
−
0.6
−
0.8
−
1
Drain
−
source voltage V
DS
(V)
TPC8126
−
6
−
4.5
−
4
I
D
– V
DS
−
40
−
10
−
3.6
−
3.2
−
CT3aom
=
m25o°nCsource
−
3 Pulse test
−
32
−
2.8
−
24
−
16
−
8
0
0
−
2.6
−
2.5
−
2.4
−
2.3
VGS
= −
2.2 V
−
0.4
−
0.8
−
1.2
−
1.6
−
2
Drain-source voltage V
DS
(V)
−
40
Common source
VDS
= −
10 V
Pulse test
−
32
I
D
– V
GS
−
24
−
16
−
8
Ta
=
100°C
−
55
25
0
0
−
1
−
2
−
3
−
4
Gate
−
source voltage V
GS
(V)
V
DS
– V
GS
−
0.4
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
−
0.3
−
0.2
−
0.1
ID
= −
11 A
−
5.5
−
2.8
0
0
−
4
−
8
−
12
−
16
−
20
Gate
−
source voltage V
GS
(V)
R
DS (ON)
– I
D
100
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
VGS
= −
4.5 V
10
−
10
1
−
0.1
−
1
−
10
−
100
Drain current I
D
(A)
4
2009-11-19
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]