BUZ60 데이터 시트보기 (PDF) - Siemens AG
부품명
상세내역
제조사
BUZ60 Datasheet PDF : 9 Pages
| |||
BUZ 60
Avalanche energy EAS = ƒ(Tj)
parameter: ID = 5.5 A, VDD = 50 V
RGS = 25 Ω, L = 18.5 mH
340
mJ
280
EAS
240
200
160
120
80
40
0
20 40 60 80 100 120 °C 160
Tj
Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = ƒ(Tj)
Typ. gate charge
VGS = ƒ(QGate)
parameter: ID puls = 8 A
16
V
VGS
12
10
0,2 VDS max
8
0,8 VDS max
6
4
2
0
0
10 20 30 40 50 nC 65
QGate
480
V
460
V(BR)DSS
450
440
430
420
410
400
390
380
370
360
-60
-20
20
60
100 °C 160
Tj
Semiconductor Group
8
07/96
Share Link: 