Philips Semiconductors
Frequency synthesizer
Product specification
HEF4750V
LSI
DC CHARACTERISTICS
at VDD = 10 V ± 5%; voltages are referenced to VSS = 0 V, unless otherwise specified; for definitions see note 1.
Tamb (°C
PARAMETER
SYMBOL
−40
+ 25
+ 85
UNIT NOTES
MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.
Quiescent device
current
IDD
Input current; logic
inputs, MOD
± IIN
Output leakage current
at 1⁄2 VDD
TCA, hold-state
± IZ
TCC, analogue
switch OFF
± IZ
PC2, high impedance
OFF-state
± IZ
Logic input voltage
LOW
VIL
HIGH
VIH
Logic output voltage
LOW; at IO < 1 µA VOL
HIGH
VOH
Logic output current
LOW; at VOL = 0,5 V
outputs OL, PC2,
OUT
IOL
output XTAL
IOL
Logic output current
HIGH;
at VOH = VDD − 0,5 V
outputs OL, PC2,OUT
output XTAL
Output TCC sink
−IOH
−IOH
current
IO
Output TCC source
current
−IO
Internal resistance
of TCC
output swing
≤ 200 mV
specified output range:
0,3 VDD to 0,7 VDD Ri
−−
100 − −
100 − −
750 µA 2
−−
300 − −
300 − −
1000 nA 3
−−
20 − 0,05 20 − −
3,4
60 nA
−−
20 − 0,05 20 − −
60 nA
−−
50 − −
50 − −
500 nA
max. 0,3 VDD V
max. 0,7 VDD V
−−
50 − −
50 − −
50 mV 3
min. VDD − 50 mV mV 3
3
5,5 −
2,8 −
− 4,6 −
− 2,4 −
− 3,6 −
− 1,9 −
− mA
− mA
1,5 −
1,4 −
−−
−−
− 1,3 −
− 1,2 −
− − 2,1
− − 1,9
− 1,0 −
− 0,9 −
−− −
−− −
3
− mA
− mA
− mA 3,4,5
− mA 3,4,6
−−
− − 0,7 − − −
− kΩ 3,4
January 1995
9