MCH3109 데이터 시트보기 (PDF) - ON Semiconductor

부품명

상세내역

제조사

MCH3109

Bipolar Transistor (–)30V, (–)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single MCPH3

ON Semiconductor 

MCH3109 / MCH3209

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

Base-to-Emitter Saturation Voltage

Collector-to-Base Breakdown Voltage

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-to-Base Breakdown Voltage

Turn-On Time

Storage Time

Fall Time

Symbol

Conditions

ICBO

IEBO

hFE

fT

Cob

VCE(sat)1

VCE(sat)2

VBE(sat)

V(BR)CBO

V(BR)CEO

V(BR)EBO

ton

tstg

tf

VCB=(--)30V, IE=0A

VEB=(--)4V, IC=0A

VCE=(--)2V, IC=(--)500mA

VCE=(--)10V, IC=(--)500mA

VCB=(--)10V, f=1MHz

IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA

IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA

IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA

IC=(--)10μA, IE=0A

IC=(--)1mA, RBE=∞

IE=(--)10μA, IC=0A

See specified Test Circuit.

Switching Time Test Circuit

IB1

PW=20μs

D.C.≤1%

IB2

INPUT

VR

RB

OUTPUT

RL

50Ω

+

+

100μF

470μF

VBE= --5V

IC=20IB1= --20IB2=500mA

(For PNP, the polarity is reversed.)

VCC=12V

min

200

(--30)40

(--)30

(--)5

Ratings

typ

(380)450

(25)20

(--155)120

(--)105

(--)0.83

(50)30

(270)300

(25)15

max

(--)0.1

(--)0.1

560

(--230)180

(--)155

(--)1.2

Unit

μA

μA

MHz

pF

mV

mV

V

V

V

V

ns

ns

ns

Ordering Information

Device

MCH3109-TL-E

MCH3209-TL-E

Package

MCPH3

MCPH3

Shipping

3,000pcs./reel

3,000pcs./reel

memo

Pb Free

--2.0

--1.6

--1.2

--0.8

--0.4

0

0

IC -- VCE

--20mA

MCH3109

--10mA

--8mA

--6mA

--4mA

--2mA

IB=0mA

--200

--400

--600

--800

--1000

Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- mV IT03993

IC -- VCE

2.0

10mA 8mA

6mA

1.6

4mA

1.2

0.8

2mA

0.4

MCH3209

0

IB=0mA

0

200

400

600

800

1000

Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- mV IT03994

No.7129-2/7

Share Link: