Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
부품명
상세내역
TPC8116-H 데이터 시트보기 (PDF) - Toshiba
부품명
상세내역
제조사
TPC8116-H
Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOSIII)
Toshiba
TPC8116-H Datasheet PDF : 7 Pages
1
2
3
4
5
6
7
−
10
−
10
−
8
−
8
−
6
−
4.5
−
6
I
D
– V
DS
−
4
−
3.2
Common source
−
3.4
Ta
=
25°C
Pulse test
−
3
−
2.8
−
2.7
−
4
−
2.6
−
2.5
−
2
VGS
= −
2.4 V
0
0
−
0.2
−
0.4
−
0.6
−
0.8
−
1.0
Drain-source voltage V
DS
(V)
TPC8116-H
−
20
−
10
−
8
−
16
−
6
−
4.5
−
12
I
D
– V
DS
−
4
Common source
Ta
=
25°C
−
3.4
Pulse test
−
3.2
−
3
−
8
−
2.8
−
2.6
−
4
VGS
= −
2.4 V
0
0
−
0.4
−
0.8
−
1.2
−
1.6
−
2.0
Drain-source voltage V
DS
(V)
−
30
Common source
VDS
= −
10 V
−
25
Pulse test
I
D
– V
GS
−
20
−
15
−
10
100
−
5
25
Ta
= −
55°C
0
0
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
Gate-source voltage V
GS
(V)
V
DS
– V
GS
−
0.5
Common source
Ta
=
25
℃
Pulse test
−
0.4
−
0.3
−
0.2
−
0.1
0
0
ID
= −
7.5 A
−
3.8
−
1.9
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
−
12
Gate-source voltage V
GS
(V)
100
Common source
VDS
= −
10 V
Pulse test
⎪
Y
fs
⎪
– I
D
10
Ta
= −
55°C
100
25
1
0.1
−
0.1
−
1
−
10
Drain current I
D
(A)
R
DS (ON)
– I
D
300
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
100
−
4.5 V
30
VGS
= −
10 V
10
−
100
3
−
0.1
4
−
1
−
10
−
100
Drain current I
D
(A)
2006-01-17
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]