3DD127D 데이터 시트보기 (PDF) - Unspecified
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3DD127D Datasheet PDF : 2 Pages
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华晶分立器件
3DD127D
低频放大管壳额定双极型晶体管
1 概述与特点
3DD127D 硅 NPN 型功率开关晶体管 主要用于电子节能灯 电子镇流器 该产品采用了一种
特殊设计 将保护二极管直接集成在 E C 极之间 既简化了外围线路 又提高了产品自身的可靠
性 其特点如下
击穿电压高 反向漏电流小
开关速度快
8.1max
3.4max
2.20
饱和压降低 电流特性好
高温性能好
3.0
封装形式 TO-126F
2 电特性
2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25
参数名称
符号 额定值
集电极-发射极电压 VCE0
400
集电极-基 极电压 VCB0
700
发射极-基 极电压 VEB0
9
集电极电流
IC
2.5
耗散功率 Ta=25
Tc=25
Ptot
1.25
50
结温
贮存温度
Tj
150
Tstg -55 150
单位
V
V
V
A
W
1.27
0.75max
2.29 2.29
BCE
C
1.92
0.51max
B
E
电路等效图
2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25
参数名称
符号
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
小电流下 hFE1 与大电流下
hFE2 比值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
下降时间
贮存时间
特征频率
a: 脉冲测试 tp 300 s,
ICB0
IEB0
hFEa
hFE1/
hFE2
VCE
a
sat
VBE
a
sat
tf
ts
fT
2%
测试条件
VCB=700V, IE=0
VEB=9V, IC=0
VCE=5V, IC=0.5A
hFE1: VCE=5V, IC=5mA
hFE2: VCE=5V, IC=0.5A
IC=2A, IB=0.5A
IC=2A, IB=0.5A
VCC=120V, IC=2A
2IB1=-IB2=0.4A
VCE=10V, IC=200mA
f=1MHz
规范值
最小 典型 最大
0.1
0.1
10
40
0.75 0.9
1
1.5
0.8
3.6
5
单位
mA
mA
V
V
s
s
MHz
无锡华晶微电子股份有限公司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 传真 0510 5800360
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