JCS5N60CB 데이터 시트보기 (PDF) - Jilin Sino-Microelectronics

부품명

상세내역

제조사

JCS5N60CB

N-CHANNEL MOSFET

Jilin Sino-Microelectronics 

R

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

JCS5N60B

开关特性 Switching Characteristics

延迟时间 Turn-On delay time

上升时间 Turn-On rise time

td(on)

tr

VDD=300V,ID=4A,RG=25Ω

（note 4，5）

- 16 42 ns

- 49 111 ns

延迟时间 Turn-Off delay time

td(off)

- 46 102 ns

下降时间 Turn-Off Fall time

tf

- 37 84 ns

栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg

栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs

栅－漏电荷 Gate-Drain charge Qgd

VDS =480V ,

- 13.3 19 nC

ID=4A

- 3.6 - nC

VGS =10V （note 4，5） - 4.9 - nC

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain

-Source Diode Forward Current

IS

- -5A

正向最大脉冲电流

Maximum Pulsed Drain-Source

Diode Forward Current

ISM

- - 20 A

正向压降

Drain-Source Diode Forward

VSD

VGS=0V, IS=5.0A

Voltage

- - 1.4 V

反向恢复时间

Reverse recovery time

trr

VGS=0V, IS=5.0A

- 330 - ns

反向恢复电荷

Reverse recovery charge

dIF/dt=100A/μs (note 4)

Qrr

- 2.67 - μC

热特性 THERMAL CHARACTERISTIC

最大

项目

符号

Max

单位

Parameter

结到管壳的热阻

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol JCS5N60VB

Unit

JCS5N60CB JCS5N60FB

/RB

Rth(j-c)

2.50

1.25

3.79 ℃/W

结到环境的热阻

Rth(j-A)

83

Thermal Resistance, Junction to Ambient

62.5

62.5 ℃/W

注释：

1：脉冲宽度由最高结温限制

2：L=25mH, IAS=4.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结

温 TJ=25℃

3：ISD ≤4.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温

TJ=25℃

4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％

5：基本与工作温度无关

Notes:

1：Pulse width limited by maximum junction

temperature

2 ： L=25mH, IAS=4.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting

TJ=25℃

3 ： ISD ≤4.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS, Starting

TJ=25℃

4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％

5：Essentially independent of operating temperature

版本：201011A

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