JCS640C-O-C-N-B 데이터 시트보기 (PDF) - Jilin Sino-Microelectronics

부품명

상세내역

제조사

JCS640C-O-C-N-B

N-CHANNEL MOSFET

Jilin Sino-Microelectronics 

R

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

JCS640

项目

符号

测试条件

最大 典型 最 大单 位

Parameter

Symbol

Tests conditions

Min Typ Max Units

关态特性 Off –Characteristics

漏－源击穿电压

Drain-Source Voltage

BVDSS ID=250μA, VGS=0V

200 - - V

击穿电压温度特性

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

ΔBVDSS/Δ ID=250μA, referenced to

TJ

25℃

- 0.2 - V/℃

零栅压下漏极漏电流

Zero Gate Voltage Drain Current IDSS

正向栅极体漏电流

VDS=200V,VGS=0V, TC=25

℃

-

VDS=160V, TC=125℃

-

- 10 μA

- 100 μA

Gate-body leakage current,

forward

IGSSF

VDS=0V, VGS =30V

- - 100 nA

反向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

reverse

IGSSR

VDS=0V, VGS =-30V

- - -100 nA

通态特性 On-Characteristics

阈值电压

Gate Threshold Voltage

VGS(th) VDS = VGS , ID=250μA

2.0 - 4.0 V

静态导通电阻

Static Drain-Source

On-Resistance

RDS(ON) VGS =10V , ID=9A

- 0.15 0.18 Ω

正向跨导

Forward Transconductance

gfs

VDS = 40V, ID=9A（note 4） - 13.5 - S

动态特性 Dynamic Characteristics

输入电容

Input capacitance

输出电容

Output capacitance

Ciss

Coss

VDS=25V,

VGS =0V,

f=1.0MHZ

- 1330 1760 pF

- 181 245 pF

反向传输电容

Reverse transfer capacitance

Crss

- 48 65 pF

版本：201007A

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