MMBT5551_18 데이터 시트보기 (PDF) - Diotec Semiconductor Germany
부품명
상세내역
제조사
MMBT5551_18 Datasheet PDF : 2 Pages
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MMBT5551
MMBT5551
SMD General Purpose NPN Transistors
SMD Universal-NPN-Transistoren
IC = 600 mA
hFE = 80 ... 250
Tjmax = 150°C
VCEO = 160 V
Ptot = 250 mW
Version 2018-01-18
SOT-23
(TO-236)
2.9 ±0.1
0.4+0.1
-0.05
3
Type
Code
1
2
1.9±0.1
1=B
2=E
1.1+0.1
-0.2
3=C
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1)
Features
General Purpose
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Mechanical Data 1)
Taped and reeled
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
Halogen
FREE
RoHS
Pb
3000 / 7“
0.01 g
UL 94V-0
260°C/10s
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Type
Code
G1
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
MMBT5401
Maximum ratings 2)
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Collector current – Kollektorstrom
Power dissipation – Verlustleistung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2)
VCE = 5 V
IC = 1 mA,
IC = 10 mA
IC = 50 mA
E-B open
B open
C open
DC
Grenzwerte 2)
VCEO
160 V
VCEO
180 V
VEBO
6V
IC
600 mA
Ptot
250 mW 3)
Tj
-55...+150°C
TS
-55…+150°C
Tj = 25°C Min.
80
hFE
80
30
Kennwerte
Typ.
Max.
–
–
250
–
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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