BP104S 데이터 시트보기 (PDF) - Infineon Technologies
부품명
상세내역
제조사
BP104S Datasheet PDF : 4 Pages
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BP 104 S
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Symbol
Symbol
Top; Tstg
VR
Ptot
Wert
Value
– 40 ... + 85
Einheit
Unit
°C
20
V
150
mW
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit VR = 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
Symbol
Symbol
S
λS max
λ
A
L×B
L×W
H
ϕ
IR
Sλ
η
Wert
Value
55 (≥ 40)
Einheit
Unit
nA/lx
850
nm
400 ... 1100 nm
4.84
2.20 × 2.20
mm2
mm × mm
0.3
mm
± 60
2 (≤ 30)
0.62
0.90
Grad
deg.
nA
A/W
Electrons
Photon
Semiconductor Group
2
1997-11-19
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