Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
부품명
상세내역
TPC8112 데이터 시트보기 (PDF) - Toshiba
부품명
상세내역
제조사
TPC8112
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅢ)
Toshiba
TPC8112 Datasheet PDF : 7 Pages
1
2
3
4
5
6
7
−
20
−
10
−
4
−
8
−
16
−
6
I
D
– V
DS
−
2.8
−
2.6
−
3
−
2.4
−
12
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
−
8
−
2.2
−
4
VGS
= −
2 V
0
0
−
0.2
−
0.4
−
0.6
−
0.8
−
1.0
Drain-source voltage V
DS
(V)
TPC8112
I
D
– V
DS
−
50
−
4
−
3
−
2.8
−
10
−
8
−
40
−
6
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
−
2.6
−
30
−
20
−
10
0
0
−
2.4
−
2.2
VGS
= −
2 V
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
Drain-source voltage V
DS
(V)
−
50
−
40
−
30
−
20
−
10
0
0
I
D
– V
GS
Common source
VDS
= −
10 V
Pulse test
25
100
Ta
= −
55°C
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
Gate-source voltage V
GS
(V)
−
0.5
−
0.4
−
0.3
−
0.2
−
0.1
0
0
V
DS
– V
GS
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
−
3
−
6.5
ID
= −
13 A
−
4
−
8
−
12
−
16
−
20
Gate-source voltage V
GS
(V)
|Y
fs
| – I
D
100
25
30
Ta
= −
55°C
100
10
3
1
Common source
VDS
= −
10 V
Pulse test
0.3
−
0.1
−
0.3
−
1
−
3
−
10
−
30
−
100
Drain current I
D
(A)
100
10
1
0.1
−
0.1
4
R
DS (ON)
– I
D
VGS
= −
4 V
−
10
Common source
Ta
=
25°C
Pulse test
−
1
−
10
−
100
Drain current I
D
(A)
2006-11-15
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]